前言

在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中，電源技術(shù)水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅(qū)動+氮化鎵功率器件組合設(shè)計，不僅電路布局較為復(fù)雜，產(chǎn)品開發(fā)難度相對較大，而且成本也比較高。

為了實現(xiàn)更高的功率密度并降低外圍器件數(shù)量，目前已有眾多電源芯片廠商著手布局集成度更高的合封氮化鎵芯片產(chǎn)品線。這些芯片能夠?qū)⒌壒β势骷?、PWM控制、驅(qū)動、保護等功能整合在一顆芯片上，一顆芯片即可實現(xiàn)原有數(shù)顆芯片的功能，不僅能夠提升整體方案的性能，還有助于減少PCB板的占用空間、縮小產(chǎn)品尺寸，并削減物料成本。合封氮化鎵芯片的應(yīng)用范圍廣泛，包括電子設(shè)備、通信設(shè)備、電動汽車充電器、工業(yè)電源以及可再生能源系統(tǒng)等。這些芯片不僅可以提供高效的電源轉(zhuǎn)換，還常常包括多種保護功能以確保電源系統(tǒng)的安全性和可靠性。

充電頭網(wǎng)從最近的拆解中發(fā)現(xiàn)了晶豐明源推出的一款內(nèi)部集成650V耐壓，115mΩ導(dǎo)阻增強型氮化鎵開關(guān)管的主動式PFC芯片BP83223，只需少量的外圍器件即可實現(xiàn)高精度恒壓輸出、高功率因素和低電流諧波。

BP83223氮化鎵合封芯片

晶豐明源BP83223，是一顆內(nèi)部集成650V耐壓，115mΩ導(dǎo)阻增強型氮化鎵開關(guān)管的主動式PFC芯片，采用單級結(jié)構(gòu)，可有效芯片PFC電感和高壓濾波電容，減小體積降低成本，內(nèi)部集成高壓啟動和輸入電壓采樣電路，具備增強的PF控制算法，只需要很少的外圍器件就可以實現(xiàn)高精度恒壓輸出、高功率因數(shù)和低電流諧波。

BP83223輸出功率最高可達(dá)100W，待機功耗極低，在230V電壓下待機功耗小于100mW，具有優(yōu)異的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率，并且內(nèi)置了動態(tài)加速模塊，能有效地改善系統(tǒng)對負(fù)載的響應(yīng)速度，提供穩(wěn)定的輸出電壓性能。

BP83223 采用 Ton 時間控制機制，內(nèi)置了 PF 增強控制算法，可輕松滿足輕載下的新 ErP 分次電流諧波標(biāo)準(zhǔn)。準(zhǔn)諧振工作模式（BCM 和 DCM）在谷底開通功率管，可實現(xiàn)更高的效率和較優(yōu)的 EMI 性能。

BP83223 采用了頻率折返控制技術(shù)，系統(tǒng)在較大負(fù)載時工作于 BCM 模式，隨著負(fù)載減小進(jìn)入 DCM 模式，同時降低開關(guān)頻率，有利于提高輕載效率。BP83223 內(nèi)置多種保護，包括逐周期限流、輸出短路保護、輸出過壓保護、次級整流管短路保護、過載保護、VCC 過壓/欠壓保護、輸入欠壓保護、以及過溫保護等。BP83223 采用 ESOP-10 封裝，具備較好的散熱性能。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

晶豐明源BP83223通過集成650V高壓GaN功率管、PWM控制、驅(qū)動和多種保護功能，有效簡化了電路設(shè)計，減少了外圍器件需求，提升了功率密度，同時降低了成本和尺寸，Ton時間控制和頻率折返技術(shù)保證了在不同負(fù)載條件下的高效率和優(yōu)越的EMI性能，實現(xiàn)了高效率、高性能和高可靠性的電源解決方案。